今天是:
场发射扫描电子显微镜G4
场发射扫描电子显微镜G4
Verios G4 UC
美国 Thermofisher scientific
代春丽
23971092
李薰楼168房间
主要技术指标

› 电子成像分辨率:<0.6nm@15kV
                             <0.7nm@1kV
                             <1nm@500V
                             <1.2nm@200V
› 电子束束流:0.8pA-100nA
› 加速电压:   200V-30kV
› 着陆电压:   20V-30kV
› 移动范围指标:X=150mm (±75mm)
                          Y=150mm (±75mm)
                          Z=10mm

常用附件

› ETD、TLD二次电子成像探测器
› 红外样品室成像探测器
› 高衬度背散射电子探头
› Oxford Ultim100+Symmetry Aztec 能谱仪
› Oxford C-Nano 电子背散射衍射系统

主要用途

› 材料表面微观形貌成像和结构及元素分析,通过高衬度背散射探测器成像观察材料微纳尺寸、结构分布;结合能谱仪进行材料元素分析和含量测量;通过电子背散射衍射系统对晶体材料的物相鉴定,进行晶体材料的晶体结构和晶体取向分析。

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